机译:用monte Carlo方法研究siC基mOsFET中电子输运特性的栅长和源漏偏差
机译:蒙特卡罗方法研究SiC基MOSFET中栅极长度和源极/漏极偏置对电子传输性能的影响
机译:基于蒙特卡罗模拟的ZnO和GaAs基MOSFET的漏源电子传输特性曲线比较
机译:通过Monte Carlo方法研究InAs0.3p0.7的电子传输性能。
机译:双门全耗尽SOI-MOSFET中电子输运特性的蒙特卡洛研究
机译:基于CAD的蒙特卡洛方法:支持蒙特卡洛辐射传输计算的几何评估算法
机译:异质介质中Acuros XB确定性辐射传输方法与蒙特卡洛方法和基于模型的卷积方法的剂量学比较
机译:极薄SOI MOSFET的电子传输特性的蒙特卡洛模拟
机译:β-siC中高场输运的蒙特卡罗集合研究。 (重新公布新的可用性信息)